作者：Albert M.Fowler,高国龙 单位：中国科学院上海技术物理研究所 出版：《红外》1999年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWAI1999020020 DOC编号：DOCHWAI1999020029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 已经生产了7个ALADDIN(InSb的高级大面积探测器发展计划)传感器芯片组件，现在还在生产另外9个传感器组件。在本文中，我们介绍了ALADDIN传感器芯片组件的设计、细节以及实测性能。ALADDIN传感器芯片组件的面积超过7.5cm~2，这是当今正在使用的最大的单片红外列阵。它是一种通过铟丘使InSb探测器与硅读出电路相连的混成式组件。这种大小的列阵能够制成，是因为InSb探测器材料已被减薄到10μm以下，这使得它能够适应InSb/硅的热失配。ALADDIN发展计划是成功的，它所产生的器件符合原先的大部分设计目标。ALADDIN I的经验使读出多路传输器设计得到了改进。我们预计，通过这些变化，ALADDIN传感器芯片组件将可以实现其余的一些目标。新的读出电路的加工已经完成，但测试工作还刚刚开始。ALADDIN计划是国家光学天文观察站(NOAO)、美国海军观测站(USNO)以及圣巴巴拉研究中心(SBRC)三者之间的一项共同合作计划。

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