《高效低开启电压CMOS整流电路设计》PDF+DOC
作者:曹世华,张慧熙,安康
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《半导体技术》2016年第10期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTJ2016100040
DOC编号:DOCBDTJ2016100049
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基于Chartered 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种适用于无线传感器的高效低开启电压CMOS整流电路。为提高电路集成度,整流电路中的倍压模块采用了MOSFET代替肖特基二极管。整流电路中通常采用的Dickson结构倍压电路受体效应等的影响,单级电压增益降低;在多级Dickson结构的倍压电路中,增益随着级数的增加加剧恶化。设计的整流电路采用新型结构倍压电路有效抑制了体效应等的影响,从而使电压增益具有显著提升。电路管芯面积仅为0.095 mm×;0.077 mm,芯片测试结果表明,在输入电压为6 d Bm V(2 m V)时能够稳定输出电压2.2 V的信号,功率转换率达55.6%。
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