作者:贾宏光 单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 出版:《光机电信息》1999年第11期 页数:8页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGJDX1999110010 DOC编号:DOCGJDX1999110019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 多晶硅微结构与CMOS电路制造工艺的结合能够制造出单片集成惯性传感器。LPCVD多晶硅的沉积、掺杂、退火同其机械特性,如残余应力、应力梯度、杨氏模量之间可以很好地建立其相关性。最近的工作表明为减少静摩擦力而进行的表面钝屯化能够减小多晶硅微结构在湿法刻蚀干燥过程或使用时由于机械振动而粘接在邻近表面或残渣的趋势。∑—Δ控制策略对线性化闭环传感器来说很有吸引力,同时在CMOS中也是易于实现的。在单一层面上集成传感器和机—电执行器的设计原理近几年来不断出现。AD公司已经展示了应用BiMEMS工艺制作的X、Y、Z三方向的加速度、角速度和角加速度单片多晶硅集成传感器。机械悬架、静电马达和电容传感器这些同控制电路集成在一起的都属于这种集成工艺制作的具有薄片状悬挂的微结构。

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