作者：方亮 单位：重庆西南信息有限公司 出版：《材料导报》1999年第02期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCLDB1999020240 DOC编号：DOCCLDB1999020249 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • P型金刚石薄膜具有压阻效应，是最近五六年才发现的新现象。利用压阻效应，可望将金刚石膜制成高灵敏度的新一类压阻传感器材料和压力微传感器，从而拓宽金刚石膜在电子学领域的应用范围。 对金刚石膜的压阻因子进行了测量，结果表明，P型定向生长的多晶金刚石膜室温压阻因子可达100O以上；金刚石薄膜的压阻效应比硅和金属显著得多；多晶金刚石膜的压阻效应不如单晶金刚石膜。金刚石膜具有显著的压阻效应，其理论原因和机制问题到目前一直不太清楚，本研究工作对此进行了系统和深入的研究。在能带结构和形变势理论的基础上，首次结合价带分裂模型和M-S多晶模型，分别推导出P型单晶和多晶金刚石膜压阻因子的近似计算公式。分析结果认为，金刚石薄膜的压阻效应是应力诱导价带分裂造成的。轻、重空穴有效质量之间的巨大差异，是导致P型金刚石具有显著压阻效应的主要原因之一。P型多晶材料的压阻效应，是应力诱导价带分裂和晶界散射联合作用的结果，晶界有阻碍电阻随应变发生改变的作用。从而，第一次从理论上阐明了导致P型多晶材料压阻效应不如同种的P型单晶材料的原因。 对负偏压热灯丝CVD系统下，金刚石膜核化过程进行了研究，.....。

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