作者:杨留方,赵景畅,吴兴惠,袁波 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1999年第05期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS905.0100 DOC编号:DOCYBJS905.0109 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 】实验发现WO3半导体材料对O3有好的敏感特性,而且元件的烧结温度和工作温度对其敏感特性有大的影响。在对这些参数优化的基础上,研制出了具有较好特性的O3气敏元件。测定了元件灵敏度与O3浓度的关系,初步讨论了元件对O3气体敏感的机制。

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