作者:沈绍群,鲍敏杭,M.A.Beniteg,J.Esteve 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1998年第07期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS807.0030 DOC编号:DOCYBJS807.0039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 在表面微机械加工技术中,当牺牲层腐蚀后,已被释放的表面可动微结构会粘结在衬底上使器件失效。另外牺牲层腐蚀通常是器件制造的最后一步,这样形成的CMOS电路的表面保护也是困难的。本文提出一种表面可动微结构的释放新工艺,可以避免上述现象。其方法是把牺牲层腐蚀紧随在多晶硅结构层淀积以后,而在最后的工艺步骤中把已经释放的多晶硅结构层进行干法成形。这样既不会发生可动微结构的粘连,也使CMOS电路免受侵蚀。

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