作者： 单位：信息产业部电子科学技术情报研究所 出版：《电子科技文摘》1999年第03期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDKWZ1999030140 DOC编号：DOCDKWZ1999030149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • Y98-61367-322 9903640利用深 ICPRIE 和 XeF_2气体腐蚀的硅角形谐振陀螺仪=Silicon angular resonance gyroscope by deep ICPRIE and XeF_2 gas etching[会，英]/Choi，J.-J.&amp； Toda，R.//1998 IEEK Micro Electro Mechanical Systems Pro-ceedings.—322～327(UV)利用深 RIE(反应离子束腐蚀)和 XeF_2气体腐蚀技术已加工出角度谐振硅陀螺仪。使用这两种腐蚀方法，也极精密地制备出梁在其物质厚度中心的传感器。这种传感器为玻璃-硅-玻璃结构，其谐振器由静电激励，其角速率产生的振动可容比测量。传感器的灵敏度为2.1F(度/秒)。参4

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